BSM200GB120DN2 Infineon
Il modulo IGBT BSM200GB120DN2 di Infineon è un componente di potenza progettato per applicazioni industriali impegnative, con una tensione di blocco di 1200 V e una capacità di corrente nominale di 200 A. Questo modulo permette un efficiente controllo di potenza grazie alla bassa tensione di saturazione VCE(sat) di 2,5 V, bilanciando efficienza e affidabilità.
Il BSM200GB120DN2 è configurato come modulo a mezzo ponte, incorporando diodi free-wheeling veloci e una base isolata in metallo che agevola la gestione termica e garantisce l’isolamento elettrico. La struttura facilita la dissipazione del calore e incrementa la durata operativa in condizioni di lavoro gravose, critiche per applicazioni ad alta potenza e cicli termici ripetuti.
Questo modulo è ideato per sistemi di conversione di potenza che richiedono commutazione veloce e precisa, come inverter per motori AC, alimentatori UPS ad alta capacità e inverter per energie rinnovabili (fotovoltaico, eolico). La sua progettazione riduce sia le perdite di conduzione che di commutazione migliorando l’efficienza energetica complessiva degli impianti.
Il codice esatto è BSM200GB120DN2, indicativo di un modulo IGBT da 1200 V e 200 A prodotto da Infineon, riconoscibile anche dall’etichettatura standard del produttore e dal packaging in tray.
Verificare che la tensione gate-emettitore non superi ±20 V e che il modulo sia compatibile con la corrente e la dissipazione termica del sistema in uso. Controllare inoltre il corretto dimensionamento del circuito di pilotaggio per evitare sovratensioni o oscillazioni.
Un errato dimensionamento del driver gate o un insufficiente raffreddamento possono portare a stress elettrico termico e riduzione della vita utile. Evitare di superare i limiti di temperatura operativa e garantire connessioni a bassa resistenza elettrica con i terminali a vite.
Il BSM200GB120DN2 presenta caratteristiche simili al BSM150GT120DN2 per applicazioni con minore corrente mantenendo la stessa tipologia e tensione nominale. Il modulo è predisposto per l’integrazione in sistemi con interfacce elettriche standard con terminali a vite.
Codici e riferimenti: BSM200GB120DN2, BSM 200 GB 120 DN2
| Voce | Valore |
|---|---|
| Tensione collettore-emettitore massima (VCES) | 1200 V |
| Corrente continua collettore (IC) | 200 A (@ TC=80°C) |
| Potenza dissipata totale (Ptot) | 1400 W (@ TC=25°C) |
| Tensione gate-emettitore massima (VGE) | ±20 V |
| Tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) | 2,5 V tipica / 3,0 V max (@ IC=200 A, VGE=15V) |
| Resistenza termica giunzione-caso (RthJC) | 0,09 K/W per IGBT |
| Temperatura operativa giunzione | -40 a +150 °C |
I guasti più comuni sono dovuti a stress elettrico e termico, oltre che alla fatica meccanica dei fili interni dovuta ai cicli termici. Il BSM200GB120DN2 riduce questi rischi grazie alla costruzione robusta e alla base isolata che migliora la dissipazione del calore. È essenziale un corretto dimensionamento del gate driver e del sistema di raffreddamento per sfruttare appieno la protezione del modulo.
Un valore tipico di VCE(sat) pari a 2,5 V riduce le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza complessiva e permettendo una gestione termica più efficace. Questo consente sistemi con dissipatori meno ingombranti e una maggiore affidabilità operativa.
Settori dove è richiesta un'elevata efficienza energetica e robustezza termica come i motori azionati elettricamente, gli inverter per energie rinnovabili, UPS di potenza e apparecchiature di saldatura.
Garantisce isolamento elettrico superiore e facilita la gestione termica fornendo un percorso di calore a bassa resistenza, migliorando affidabilità e durata del modulo.
Contattaci per disponibilità e tempi di consegna.
