Teo M.
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Il BSM300GA120DN2SE3256 è un modulo transistor IGBT prodotto da Infineon, progettato per applicazioni ad alta efficienza come la deflessione orizzontale nei televisori e applicazioni industriali. Si tratta di un componente chiave per il controllo di potenza in sistemi elettrici dove è richiesta una gestione affidabile e performante di correnti elevate e tensioni di commutazione.
Questo modulo utilizza la tecnologia HighSpeed 2 di seconda generazione, specificamente sviluppata per applicazioni con tensione nominale di 1200V. Tra le sue caratteristiche tecnologiche principali emergono la riduzione delle perdite in circuiti risonanti, un comportamento termico stabile e la capacità di commutazione parallela. La tecnologia adotta inoltre unʼottimizzazione della caduta di tensione durante lo spegnimento (Eoff) a correnti di collettore di 3A, permettendo un controllo preciso e semplice dei gate.
Il dispositivo presenta un package di tipo IS6a (62 mm) con montaggio a vite, garantendo un fissaggio robusto e affidabile nelle applicazioni industriali. Il voltage collector-emettitore arriva fino a 1200 Volt con una corrente nominale di 300 Ampere, mentre la massima tensione gate-emettitore è di ±20 Volt. Queste caratteristiche lo rendono idoneo per impieghi in ambienti impegnativi e con elevate esigenze di potenza.
Il BSM300GA120DN2SE3256 appartiene alla famiglia IGBT six-pack con package IS6a e rappresenta un modulo avanzato di Infineon basato su tecnologia HighSpeed 2. Codici correlati e varianti simili includono BSM300GA120DN2S e riferimenti come E3256, che condividono caratteristiche di tensione e corrente.
Codici e riferimenti: BSM300GA120DN2SE3256, BSM300GA120DN2S, E3256
| Voce | Valore |
|---|---|
| Tensione Collector-Emitter (Vces) | 1200 V |
| Corrente Collector (Ic) | 300 A |
| Massima tensione Gate-Emitter | ±20 V |
| Package/Case | IS6a (62 mm) |
| Tipo di montaggio | Screw Mount |
| Tensione di saturazione Collector-Emitter | 2.5 V (max) |