FF200R12KE3 Other
Il modulo IGBT FF200R12KE3 è un dispositivo di potenza duale con tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT3, progettato per applicazioni industriali che richiedono un controllo efficiente di elevata corrente e tensione fino a 1200 V e 200 A.
Questo modulo, caratterizzato da una custodia standard industriale da 62 mm, integra transistor bipolari a gate isolato, ideali per applicazioni come inverter a frequenza variabile, azionamenti motore, UPS e sistemi di saldatura elettronica. Grazie alla sua configurazione a mezzo ponte, il modulo consente di realizzare circuiti di potenza con ottimizzazione delle prestazioni di commutazione e dissipazione termica.
Il dispositivo offre una tensione di saturazione VCE tipica di 1,7 V a 25°C e una capacità di dissipazione massima di potenza fino a 1050 W. È certificato UL/CSA secondo UL1557 e garantisce operatività con temperature di giunzione fino a 125 °C, con picchi massimi a 150 °C, garantendo affidabilità negli impieghi più gravosi.
Il modulo è compatibile con schede di valutazione dotate di stadio di booster, facilitando la connessione con driver di controllo e garantendo prestazioni stabili in ambienti industriali.
Il modulo FF200R12KE3 è un ricambio e alternativa equivalente al modulo Infineon FF200R12KE3, disponibile anche con codice OPN FF200R12KE3HOSA1. L’alloggiamento standard è AG-62MM-1 con montaggio a vite, conforme alle specifiche industriali per moduli IGBT di fascia alta.
Codici e riferimenti: FF200R12KE3, FF200R12KE3HOSA1, AMFF200R12KE3
| Voce | Valore |
|---|---|
| Tipo | IGBT duale |
| Tensione collettore-emettitore massima (VCE) | 1200 V |
| Corrente nominale collettore (IC) | 200 A |
| Dimensioni | 106,4 x 61,4 x 30 mm |
| Custodia | 62 mm AG-62MM-1 |
| Potenza di dissipazione massima (Pc i) | 1050 W |
| Valore tipico VCE(sat) a 25 °C | 1.7 V |
| Temperatura di giunzione operativa | Fino a 125 °C (max 150 °C) |
| Certificazioni | UL/CSA UL1557 E83336 |
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