Il CM200TU-12F è un modulo IGBT Mitsubishi progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza. Questo componente integra sei elementi in un unico package isolato, con una corrente di collettore nominale di 200 A e una tensione massima collettore-emettitore di 600 V.
La tecnologia Trench Gate utilizzata nei semiconduttori IGBT di questo modulo garantisce prestazioni efficienti nelle operazioni di commutazione, rendendo il CM200TU-12F adatto a un'ampia gamma di applicazioni industriali.
La costruzione isolata e la disposizione in pack a sei elementi permettono al CM200TU-12F di essere impiegato in inverter generici e controlli servo, dove sono richieste elevate capacità di switching e affidabilità.
Il modulo CM200TU-12F combina transistor IGBT di tipo N con diodi antiparalleli integrati, ottimizzati per l'impiego in applicazioni di potenza. Il dispositivo supporta una corrente massima di 200 A a 25°C e può gestire tensioni fino a 600 V tra collettore e emettitore.
La saturazione tipica del collector-emettitore è di circa 1,6 V, mentre la soglia di tensione gate-emettitore è intorno a 7 V. Queste caratteristiche assicurano un controllo stabile e rapido della commutazione, con un tempo di salita tipico di 100 nanosecondi.
Il modulo gestisce una potenza dissipata massima di 590 W e opera fino a una temperatura di giunzione di 150 °C, offrendo robustezza nelle condizioni di carico elevate e in ambienti industriali impegnativi.
Il totale della carica di gate è di circa 1240 nC, con una capacità di uscita tipica di 3600 pF, elementi questi che influenzano la dinamica del segnale di comando e l'efficienza della commutazione.
Il CM200TU-12F fa parte della famiglia di moduli IGBT Mitsubishi con design isolato e pack multipli a sei elementi. È comparabile a modelli simili come CM150DU-24F e CM200DU-24F.
Codici e riferimenti: CM200TU-12F, CM200TU12F
| Voce | Valore |
|---|---|
| Tipo | Modulo IGBT (6 elementi, pack isolato) |
| Corrente massima (Ic) | 200 A (@25°C) |
| Tensione massima (VCES) | 600 V |
| Potenza massima dissipata (Pc) | 590 W |
| Temperatura massima di giunzione (Tj) | 150 °C |
| Volt. saturazione collector-emettitore (VCEsat) | 1,6 V tipico |
| Volt. soglia gate-emettitore (VGEth) | 7 V massimo |
| Tempo di salita (tr) | 100 ns tipico |
| Carica totale di gate (Qg) | 1240 nC tipico |
| Capacità di uscita (Coes) | 3600 pF tipico |
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