Il modulo CM75DUM-12F di Mitsubishi è un componente elettronico progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza. Si presenta come un modulo a 12 pin in package dual in-line (DIP), ideale per essere integrato in circuiti elettronici professionali.
Questo modulo integra due transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) disposti in configurazione half-bridge, ciascuno dotato di un diodo free-wheel con recupero super-veloce collegato in antiparallelo. Questa struttura permette di gestire correnti fino a 75A e tensioni di collettore-emettitore fino a 600V, rendendo il CM75DUM-12F adatto per il controllo di potenza in motori AC, inverter generali e sistemi UPS.
Il modulo è dotato di base isolata, facilitando l'installazione di dissipatori e migliorando la gestione termica del dispositivo. Il design con gate a trincea garantisce bassa caduta di tensione e ridotti consumi di pilotaggio, ottimizzando l'efficienza e le prestazioni nel funzionamento ad alta frequenza.
La costruzione in pacchetto DIP a 12 pin permette un facile inserimento in sistemi che richiedono moduli robusti e affidabili, mantenendo al contempo compattezza e facilità di connessione.
Il CM75DUM-12F appartiene alla serie di moduli IGBT Mitsubishi indicati per applicazioni di commutazione ad alta potenza con isolamento della base. Codici correlati includono CM75DU-12F con caratteristiche simili in differenti formati e configurazioni. Il modulo supporta tensioni fino a 600V e correnti continue nominali di 75A.
Codici e riferimenti: CM75DUM-12F, CM75DU-12F
| Voce | Valore |
|---|---|
| Corrente nominale (IC) | 75A |
| Tensione collettore-emettitore (VCES) | 600V |
| Configurazione | Half-bridge con due IGBT e diodi free-wheel |
| Tipo di package | DIP, 12 pin |
| Base isolata | Sì |
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