Il modulo IGBT BSM10GD120DN2 di Infineon è un componente progettato per applicazioni di conversione di potenza a bassa e media potenza. Configurato come full bridge, integra sei transistor IGBT con diodi freewheeling rapidi per la gestione efficiente di tensioni fino a 1200 V e correnti nominali di 10 A.
Con un package EconoPACK™ 2, questo modulo garantisce un'installazione semplificata e affidabile, ideale per impieghi in azionamenti di motori AC e alimentatori switching (SMPS). Le sue caratteristiche elettriche come la tensione massima collettore-emettitore di 1200 V e una bassa tensione di saturazione (2,7 V) permettono un funzionamento efficiente e stabile.
Il design full bridge consente una gestione ottimale di carichi trifase e sistemi di potenza che richiedono controllo preciso e resistenza elettrica conforme alle specifiche industriali. Questo modulo risponde quindi alle esigenze di sistemi dove la robustezza del componente unita a performance prevedibili è fondamentale.
La sua struttura supporta applicazioni nei settori dell'automazione industriale, sistemi di alimentazione elettrica e digital power conversion, permettendo un facile inserimento nei circuiti grazie a un'interfaccia standardizzata e a pin long per il montaggio.
Il modulo appartiene alla famiglia di IGBT Infineon ed è designato come BSM10GD120DN2, con codici e riferimenti alternativi tra cui varianti con suffissi differenti per configurazioni specifiche, ma sempre basati sulla stessa configurazione full bridge e caratteristiche elettriche.
Codici e riferimenti: BSM10GD120DN2, BSM10GD 120DN2
| Voce | Valore |
|---|---|
| Tipo | Modulo IGBT Full Bridge |
| Tensione Massima Collectore-Emettitore (VCEO) | 1200 V |
| Corrente Nominale | 10 A |
| Tensione di saturazione colletore-emettitore | 2,7 V |
| Configurazione | Full bridge 3-fase |
| Diodi di freewheeling | Rapidi integrati |
| Package | EconoPACK™ 2 |
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