Il BSM75GD120DN2 è un modulo IGBT duale di Infineon progettato per applicazioni potenti e affidabili di conversione di energia. Con una tensione di collettore-emettitore di 1200 V e una corrente continua massima di 75 A, questo dispositivo si integra perfettamente in inverter, azionamenti di motori e alimentatori industriali.
Questo modulo si basa sulla tecnologia IGBT Non-Punch-Through (NPT), nota per la sua ampia area di sicurezza operativa che conferisce robustezza in condizioni di sovracorrente e sovratensione. Il design a "half-bridge" duale consente flessibilità progettuale per sistemi trifase o altre applicazioni di conversione.
Integrata in ogni IGBT vi è una Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED), che riduce le perdite di accensione in topologie di commutazione hard-switching grazie a una bassa carica di recupero inversa (Qrr). Il modulo utilizza un package industriale standard EconoPACK 3A che facilita il montaggio con viti e gestisce una dissipazione di potenza fino a 520 W.
Il range di temperatura di funzionamento è ampio, da -40 °C a +150 °C, garantendo prestazioni stabili in ambienti impegnativi. Il dispositivo supporta una tensione gate-emettitore massima di ±20 V con una corrente di perdita di gate-emettitore molto bassa, pari a 320 nA, che ne assicura un controllo efficiente e affidabile.
Il codice esatto è BSM75GD120DN2; è un modulo Dual IGBT con configurazione six-pack e package EconoPACK 3A, con tensione di collettore-emettitore di 1200 V e corrente continua di 75 A.
Verificare il corretto package (EconoPACK 3A) e tensioni operative (max 1200 V, max gate-emettitore ±20 V). Valutare le esigenze termiche e il tipo di configurazione a half-bridge duale.
Non eccedere la tensione gate-emettitore di 20 V per evitare guasti. È importante utilizzare un circuito di pilotaggio robusto, incluso l'impiego di una tensione negativa per lo spegnimento per prevenire accensioni parassite.
Modulo IGBT standard industriale EconoPACK 3A, configurazione duale half-bridge. Funziona con tensioni di linea da 400 a 690 VAC.
Codici e riferimenti: BSM75GD120DN2
| Voce | Valore |
|---|---|
| Collettore-Emettitore (VCES) | 1200 V |
| Corrente continua Collettore (IC @ 80°C) | 75 A |
| Saturazione Collettore-Emettitore (VCE(sat) max a 75A) | 3.2 V |
| Corrente di perdita Gate-Emettitore | 320 nA |
| Tensione massima Gate-Emettitore (VGES) | ±20 V |
| Temperatura operativa minima | -40 °C |
| Temperatura operativa massima | +150 °C |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 520 W |
| Package | EconoPACK 3A |
| Configurazione | Dual / Half-Bridge |
La tecnologia NPT offre un’area di sicurezza operativa più ampia e maggiore robustezza contro sovracorrenti e cortocircuiti, mentre TFS è ottimizzata per minori perdite di conduzione e velocità di commutazione più elevate.
Si raccomanda un circuito di pilotaggio robusto con tensione negativa di spegnimento tra -8 V e -15 V per garantire un’interruzione stabile dell’IGBT e prevenire accensioni parassite dovute al fenomeno Miller.
È particolarmente indicato per applicazioni industriali critiche come azionamenti motore a frequenza variabile, alimentatori di saldatura e sistemi UPS, dove sono richiesti robustezza e affidabilità.
Il modulo è duale con configurazione a half-bridge per semplificare la progettazione di convertitori e inverter trifase.
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