Il modulo IGBT FP75R12KE3 è un componente di potenza progettato per applicazioni industriali ad alta efficienza, garantendo prestazioni affidabili e elevate. Si tratta di un modulo a 3 fasi con capacità di commutazione ad alta frequenza, particolarmente indicato per il controllo motori e impieghi in condizionamento residenziale.
Questo modulo integra transistor IGBT di categoria industriale con una tensione nominale massima di 1200 V e una corrente continua di 75 A, assicurando un'efficiente gestione della potenza in sistemi di alimentazione e inverter. La struttura del modulo è basata sulla tecnologia IGBT3 E3 abbinata all'impiego della piattaforma EconoPIM™ 3 di Infineon, che ottimizza la dissipazione termica mediante una piastra di base in rame.
Il design a bassa induttanza parassita riduce le perdite di commutazione, migliorando l'efficienza e la densità di potenza. Il modulo è dotato di spinotti saldabili per un montaggio robusto e incorpora una termistore NTC per il monitoraggio della temperatura interna, facilitando l'integrazione in sistemi di controllo avanzati.
Il modulo FP75R12KE3 fa parte della famiglia EconoPIM™ 3 di Infineon ed è costruito secondo standard industriali con tecnologia IGBT3 E3. È disponibile con la versione OPN FP75R12KE3BOSA1 con confezionamento in vassoio per un facile inserimento in linee di produzione. Il modulo è conforme alle normative RoHS e privo di alogeni.
Codici e riferimenti: FP75R12KE3, FP75R12KE3BOSA1
| Voce | Valore |
|---|---|
| Tensione Collector-Emitter (Vces) | 1200 V |
| Corrente Collector Continua (Ic) | 75 A |
| Caduta di tensione Collector-Emitter (VCE(sat) a 25°C) | 1.7 V (tipica) |
| Caduta di tensione Forward (Vf) | 1.65 V |
| Dimensioni (L × W) | 122 mm × 62 mm |
| Tipo di package | EconoPIM™ 3 |
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