Il modulo IGBT BSM50GX120DN2 di Infineon è un componente di potenza ad alte prestazioni progettato per applicazioni di controllo motore e conversione energetica. Grazie alla sua capacità di gestire 1200 V di tensione e 50 A di corrente continua, è ideale per sistemi industriali e soluzioni di energia rinnovabile.
Questo modulo utilizza la tecnologia IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) in configurazione a ponte completo (full bridge), garantendo commutazioni rapide e una dissipazione termica efficiente. Il design compatto e la bassa resistenza termica supportano un'elevata densità di potenza e un'affidabilità operativa anche in ambienti con ampi range di temperatura, da -40 °C a +125 °C.
Il BSM50GX120DN2 integra un sensore di temperatura NTC, fondamentale per il monitoraggio continuo delle condizioni operative e la protezione del dispositivo. Le sue caratteristiche tecniche includono una tensione di saturazione tipica del transistor di soli 2,2 V e una potenza dissipabile fino a 360 W, che rendono il modulo adatto per applicazioni in inverter ad alta efficienza e convertitori affidabili.
Il pacchetto standard, indicato come 16TSSOP, assicura facilità di montaggio e integrazione in sistemi elettronici industriali. La compatibilità con la serie BSMxxGX consente di scegliere moduli con differenti valori di tensione e corrente, agevolando la personalizzazione dei progetti.
BSM50GX120DN2, BSM50GX120DN2BOSA1, BSMxxGX series
| Voce | Valore |
|---|---|
| Tensione massima collettore-emettitore (VCEO) | 1200 V |
| Corrente continua collettore a 25 °C | 50 A |
| Tensione di saturazione collettore-emettitore | 2,2 V |
| Dissipazione di potenza | 360 W |
| Temperatura di lavoro | -40 °C ÷ +125 °C |
| Configurazione | Modulo IGBT full bridge |
| Voltaggio gate-emettitore massimo | ±20 V |
| Package | 16TSSOP |
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