Il modulo IGBT BSM300GA120DN2FS-E3256 di Infineon è un dispositivo di potenza progettato per applicazioni industriali di controllo motore e inverter di potenza. Dotato di singolo interruttore con diodi di ricircolo rapidi integrati, questo modulo garantisce elevate prestazioni e affidabilità in sistemi di automazione industriale.
La struttura da 62 mm rappresenta una soluzione standard ideale per progetti che richiedono flessibilità, ottime caratteristiche elettriche e alta frequenza di commutazione. Il componente è costruito con tecnologia IGBT4 Trench con Field Stop, che consente una bassa tensione di saturazione e perdita di commutazione ridotte, caratteristiche fondamentali per incrementare l’efficienza energetica nei convertitori statici di frequenza.
BSM300GA120DN2FS-E3256 supporta una tensione massima di collettore-emettitore (Vce) di 1200 V e un corrente continua di 300 A, con spike di corrente pulsed fino a 600 A. Il dispositivo include un package con piastra base metallica isolata che facilita la gestione termica e l'installazione nei sistemi. La sua costruzione robusta è idonea a condizioni di ambiente industriale con temperature operative del chip fino a 150 °C e una dissipazione di potenza fino a 2500 W.
Dal punto di vista delle caratteristiche elettriche, il modulo presenta una bassa tensione di saturazione, gate threshold compreso tra 4,5 e 6,5 V e una capacità di commutazione rapida con tempi di ritardo di accensione e spegnimento nell'ordine delle centinaia di nanosecondi. La presenza di diodi a recupero rapido integrati garantisce una ricircolazione della corrente efficiente e contribuisce alla protezione del modulo in condizioni di carico induttivo.
Questo modulo appartiene alla serie 62mm di Infineon disponibile in varie configurazioni come singolo interruttore, half bridge, chopper e moduli diodi. Il codice completo del prodotto è BSM300GA120DN2FS-E3256 e può essere riferito anche come BSM300GA120DN2FSE3256 (con o senza trattini o underscore) nelle varie documentazioni tecniche.
| Voce | Valore |
|---|---|
| Tensione collector-emettitore (Vce) | 1200 V |
| Corrente continua collector (Ic) | 300 A |
| Corrente pulsata collector (1 ms) | 600 A |
| Dissipazione di potenza | 2500 W |
| Temperatura massima chip | 150 °C |
| Dimensioni | 1.2 x 4.19 x 2.42 in |
| Peso netto | approximately 0.75 lb (11.92 oz) |
| Gate threshold voltage (Vge_th) | 4.5 - 6.5 V |
| Collector-emitter saturation voltage (Vce_sat) | 2.5 V typical @ 300 A |
| Capacità di ingresso (Ciss) | 22 nF @ 1 MHz |
| Tempo di recupero inverso (t_rr) | 0.55 µs |
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