FF800R12KL4C Infineon

Il modulo IGBT FF800R12KL4C di Infineon rappresenta una soluzione elettronica di potenza ad alte prestazioni per applicazioni industriali. Con capacità nominali di 1200V e 800A, è progettato per garantire efficienza e affidabilità in ambiti quali azionamenti motori, sistemi di energia rinnovabile e ambienti industriali complessi.

Questo modulo si caratterizza per un design a bassa induttanza che permette un funzionamento ottimizzato anche a frequenze elevate, con una gestione termica avanzata che consente rapida dissipazione del calore e quindi una maggiore stabilità operativa. Integra inoltre sensori di temperatura per il monitoraggio attivo dello stato del dispositivo.

L'FF800R12KL4C di Infineon è costruito con tecnologia al silicio (Si) e montaggio chassis per un'integrazione robusta nei sistemi di potenza. Le sue dimensioni compatte (140 mm di lunghezza, 130 mm di larghezza e 38 mm di altezza) ne facilitano l'installazione anche in spazi ridotti.

Grazie a un basso valore di tensione di saturazione del collettore-emettitore (VCE(sat) tipico di 2,1 V) e a una corrente continua nominale fino a 1250 A a 25 °C, il modulo è ideale per applicazioni che richiedono elevata capacità di carico e performance affidabili nel tempo. Il limite massimo di tensione gate-emettitore è pari a 20 V, mentre l'intervallo termico operativo varia da -40 °C a +125 °C.

Guida rapida

Come identificare il modello

Il codice FF800R12KL4C identifica un modulo IGBT duale da 1200 V e 800 A prodotto da Infineon, con package A-IHM130-2 e tecnologia siliconica.

Cosa controllare prima della sostituzione

• Verificare la compatibilità elettrica in termini di tensione e corrente con il circuito esistente
• Controllare il metodo di montaggio (chassis mount) e le dimensioni del modulo per garantire l’adattamento meccanico
• Esaminare lo stato dei sensori integrati per monitoraggio termico

Errori comuni da evitare

• Sottovalutare la dissipazione di calore necessaria per il corretto funzionamento
• Non rispettare il limite di tensione gate-emettitore di 20 V
• Impiego in ambienti o sistemi non compatibili con le specifiche termiche del modulo

Applicazioni tipiche

• Azionamenti di motori industriali
• Sistemi di energia rinnovabile (es. inverter fotovoltaici e eolici)
• Architetture di alimentazione per data center
• Sistemi di alimentazione di backup critici
• Regolazione automatica della tensione

Compatibilità / Interfacce / Varianti

Tensione nominale: 1200 V
Corrente nominale: 800 A
Configurazione: modulo IGBT duale
Package: A-IHM130-2
Montaggio: chassis mount
Tecnologia: silicio (Si)

Codici e riferimenti: FF800R12KL4C, SP000100524, FF800R12KL4CNOSA1

Dati rapidi

Specifiche / Caratteristiche

• Alta capacità di corrente nominale fino a 800 A
• Tensione massima di collettore-emettitore di 1200 V
• Design a bassa induttanza per elevate frequenze di commutazione
• Eccellente gestione termica con rapida dissipazione del calore
• Sensori di temperatura integrati per monitoraggio attivo
• Tecnologia siliconica avanzata
• Configurazione duale per applicazioni industriali
• Montaggio robusto e affidabile di tipo chassis mount

FAQ tecniche

Qual è la tensione massima supportata dal modulo FF800R12KL4C?
Il modulo supporta una tensione massima collettore-emettitore di 1200 V.

Qual è la corrente nominale continua a 25 °C?
La corrente nominale continua è di 1250 A a 25 °C.

Quali sono le temperature operative consentite?
Il modulo opera in un range da -40 °C fino a +125 °C.

Che tipo di montaggio richiede questo modulo?
Il montaggio previsto è di tipo chassis mount.

Contattaci per disponibilità e tempi di consegna.