Il BLF278 è un transistor MOS FET di potenza a doppio push-pull progettato da NXP per applicazioni in radiofrequenza (RF) nella gamma VHF.
Si tratta di un transistor verticale D-MOS a canale N, di tipo enhancement mode, contenuto in un package SOT262A1 con 4 terminali e due cappucci ceramici, che garantisce affidabilità e stabilità termica durante l'uso.
Il dispositivo presenta un montaggio con flange bilanciata che funge da connessione comune alla sorgente per entrambi i transistor interni, favorendo un'efficiente gestione termica e una facile integrazione negli amplificatori push-pull.
Nel dettaglio tecnico, il BLF278 offre un elevato guadagno di potenza, controllo semplice della potenza stessa e una buona stabilità termica, supportata dalla metallizzazione in oro che assicura una lunga durata e affidabilità operative.
Questa tipologia di transistor è ideale per trasmettitori broadcast nella banda di frequenza VHF, supportando il funzionamento a 50 ohm di impedenza e temperature operative che possono variare da -65 °C fino a +150 °C, conforme alle normative IEC 60134.
Il BLF278 rientra nella famiglia dei MOSFET RF di potenza NXP progettati specificamente per frequenze VHF e si connette tramite package SOT262A1. Prodotti simili con funzioni paragonabili includono il BLF276, BLF277 e BLF202 all'interno del portafoglio NXP.
Codici e riferimenti: BLF278, BLF278 SOT-262A1
| Voce | Valore |
|---|---|
| Tipo | Dual push-pull silicon N-channel MOS transistor |
| Package | SOT262A1, 4-lead with balanced flange |
| Applicazione | Trasmettitori broadcast VHF |
| Impedenza | 50 Ω |
| Temperatura operativa | -65 °C to 150 °C |
| Metallizzazione | Oro |
| Standard | IEC 60134 |
