Teo M.
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BSM100GD120DN2 Infineon
Il modulo IGBT BSM100GD120DN2 di Infineon è un componente elettronico di potenza progettato per operare con una tensione di collettore-emettitore di 1200 V e una corrente continua nominale di 100 A. Si tratta di un modulo six-pack che integra sei transistor IGBT, ottimizzato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e gestione di potenze elevate.
Questo modulo è caratterizzato dal package Econopack 3, che assicura robustezza meccanica e facilità di montaggio tramite fissaggio a vite. Il sistema a base di transistor N-Channel consente un controllo preciso e veloce della commutazione, con tempi di accensione e spegnimento rispettivamente di 160 ns e 400 ns, assicurando elevate prestazioni dinamiche.
Tra le sue specifiche principali si evidenziano una temperatura di giunzione massima di 150 °C, una potenza massima dissipabile di 680 W e una tensione di saturazione tipica del collettore-emettitore di 3,2 V. Il modulo ha 39 terminali di connessione, che permettono una configurazione flessibile in applicazioni power electronics.
BSM100GD120DN2 è utilizzabile in diversi contesti industriali quali inverter, convertitori, e azionamenti elettrici, contribuendo a una gestione affidabile e efficiente della potenza elettrica in sistemi complessi.
| Voce | Valore |
|---|---|
| Tensione collettore-emettitore (Vceo) | 1200 V |
| Corrente continua nominale (Ic) | 100 A |
| Corrente di picco | 150 A |
| Numero di transistor | 6 (Six-Pack) |
| Potenza dissipabile | 680 W |
| Temperatura di giunzione massima | 150 °C |
| Package | Econopack 3 |
| Numero di terminali | 39 |
| Tempo di commutazione ON | 160 ns |
| Tempo di commutazione OFF | 400 ns |
| Tensione di saturazione tipica Vce(sat) | 3,2 V |
| Dimensioni | 122 x 62 x 17 mm (LxWxH) |
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