BSM100GD120DN2 Infineon - Modulo IGBT 1200V 100A Six-Pack
BSM100GD120DN2 Infineon - Modulo IGBT 1200V 100A Six-Pack
BSM100GD120DN2
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Descrizione

BSM100GD120DN2 Infineon

Il modulo IGBT BSM100GD120DN2 di Infineon è un componente elettronico di potenza progettato per operare con una tensione di collettore-emettitore di 1200 V e una corrente continua nominale di 100 A. Si tratta di un modulo six-pack che integra sei transistor IGBT, ottimizzato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e gestione di potenze elevate.

Questo modulo è caratterizzato dal package Econopack 3, che assicura robustezza meccanica e facilità di montaggio tramite fissaggio a vite. Il sistema a base di transistor N-Channel consente un controllo preciso e veloce della commutazione, con tempi di accensione e spegnimento rispettivamente di 160 ns e 400 ns, assicurando elevate prestazioni dinamiche.

Tra le sue specifiche principali si evidenziano una temperatura di giunzione massima di 150 °C, una potenza massima dissipabile di 680 W e una tensione di saturazione tipica del collettore-emettitore di 3,2 V. Il modulo ha 39 terminali di connessione, che permettono una configurazione flessibile in applicazioni power electronics.

BSM100GD120DN2 è utilizzabile in diversi contesti industriali quali inverter, convertitori, e azionamenti elettrici, contribuendo a una gestione affidabile e efficiente della potenza elettrica in sistemi complessi.

Codici e riferimenti

  • BSM 100 GD 120 DN2

Dati rapidi

VoceValore
Tensione collettore-emettitore (Vceo)1200 V
Corrente continua nominale (Ic)100 A
Corrente di picco150 A
Numero di transistor6 (Six-Pack)
Potenza dissipabile680 W
Temperatura di giunzione massima150 °C
PackageEconopack 3
Numero di terminali39
Tempo di commutazione ON160 ns
Tempo di commutazione OFF400 ns
Tensione di saturazione tipica Vce(sat)3,2 V
Dimensioni122 x 62 x 17 mm (LxWxH)

Specifiche / Caratteristiche

  • Modulo IGBT a 6 elementi (Six-Pack) per applicazioni di potenza
  • N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor
  • Tensione max collettore-emettitore: 1200 V
  • Corrente nominale continua: 100 A, picco 150 A
  • Ridotti tempi di commutazione: ON 160 ns, OFF 400 ns
  • Package robusto Econopack 3 con 39 pin
  • Temperatura operativa: da -40 °C fino a +150 °C
  • Potenza dissipabile di 680 W per elevata efficienza termica
  • Tensione di saturazione tipica 3,2 V rilevante per il dimensionamento delle perdite

FAQ tecniche

Qual è la tensione massima di collettore-emettitore di questo modulo?
La tensione massima di collettore-emettitore è pari a 1200 V.
Quanta corrente continua nominale può gestire?
Può gestire una corrente continua nominale di 100 A e un picco fino a 150 A.
Quanti transistor contiene il modulo BSM100GD120DN2?
Il modulo integra sei transistor IGBT configurati in Six-Pack.
Quali sono i tempi tipici di commutazione del modulo?
I tempi di accensione e spegnimento sono rispettivamente di 160 nanosecondi e 400 nanosecondi.

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Dettagli del prodotto

BSM100GD120DN2
1 Articolo

Cosa dicono i nostri clienti

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